Industri semikonduktor sedang mengalami fase transformasi saat ini, didorong oleh kemajuan dalam teknologi manufaktur. Transformasi ini ditandai oleh dua tantangan signifikan yang dihadapi oleh perancang semikonduktor. Pertama, kemajuan tak kenal lelah dari Hukum Moore telah mengarah pada adopsi teknologi proses finFET mutakhir, mendorong arsitektur transistor menjadi semakin kecil di bawah 5nm. Evolusi ini mencakup desain transistor inovatif seperti gate-all-around (GAA) nanosheet dan pendekatan baru untuk penyampaian daya, seperti penyampaian daya belakang. Kedua, para perancang berjuang dengan kompleksitas desain multi-die, pengepakan IC 2.5D/3D, dan integrasi heterogen. Tim desain terkemuka sedang merangkul kemajuan ini untuk mengatasi kerumitan 3D-IC, menghadapi sejumlah tantangan multiphysics yang baru dalam proses tersebut. Tantangan-tantangan ini meliputi berbagai domain, termasuk pertimbangan elektrikal, termal, dan mekanikal, saat para perancang berusaha untuk mencapai kesuksesan dalam era baru desain semikonduktor ini.